华卓精科,与清华共享专利( 三 )

即便按照ASML公司的发展历程，从理论上来看，那也需要到2033年才可以研制出极紫外EUV光刻机。当然了，以上只是按照ASML公司的发展历程简单的推算，真实情况是肯定有差别的。至于究竟到哪年，才可以研制出自己的极紫外EUV光刻机，现在还很难说啊！只不过可以肯定的是，研制出极紫外EUV光刻机的时间要么早于2033年，要么晚于2033年。
究竟到哪年，还是让我们拭目以待吧！或许随着量子芯片，碳基芯片，光子芯片的发展，我国可以弯道超车，避开传统光刻机的发展模式，直接走到新兴芯片的生产制造上。言归正传，在光刻机制造上，我国面临的问题与ASML是截然相反的。要知道ASML是集合了美国，德国，日本，英国，欧洲等各发达国家的顶尖科技，才制造出的光刻机。
而我国只有靠自己，光刻机的任何一个部件，都要立足于国内来完成研发。而且，国外还对我国进行严密的封锁，也签署了专门禁止对我国出口高科技技术的《瓦森纳协定》。如此一来，最直接的结果就是:我国的高科技VS全球的高科技。况且，这还是在我国与光刻机有关的高科技，不如国外发达国家的前提下进行的。由此可见，极紫外EUV光刻机的研发，难度是地狱级别的。
可想而知，我国独立研制出极紫外EUV光刻机的难度系数有多高。难度系数高归高，与做不做的到是两回事。俗话说，世上无难事，只怕有心人。我国向来拥有迎难而上的决心和毅力，相信研制出极紫外EUV光刻机只是时间问题而已。毕竟在20年前，谁曾想到20年后的今天，我国的科技会发达到这个程度。先后出现了:蛟龙号深潜器，奋斗者号载人深潜器，复兴号高速列车，天宫空间站，北斗导航系统，量子通讯卫星，量子芯片，特高压输电，歼20隐身战斗机，运20大型运输机，直20直升机，055型万吨驱逐舰，山东号航空母舰。
这一切，在20年前是根本就不敢想的，甚至在10多年前也是不敢想的。但是，这一切，就真真切切的成为了现实。所以说，没有可以难倒我国的技术，因为我国有着迎难而上的传统和决心。相信，在极紫外EUV光刻机上，也会尽快研制出来的。那么，我国现有的技术，与国际上的差距有多大呢。ASML极紫外EUV光刻机使用的先进部件采用了波长为13.5纳米，功率为250W的激光等离子体光源。
有关于极紫外光源，一共发展了三代。第一代：放电等离子体(DPP)；第二代：激光辅助放电等离子体(LDP)；第三代：激光等离子体(LPP) 。可见ASML的极紫外EUV光刻机使用的就是由Cymer公司研发的第三代光源，该光源有两大特点：第一，功率高，250W 。只有光源的功率足够高，在被十多个反射镜反射吸收之后，剩下的功率足够高才能够进行光刻。
另外光刻机光源的功率越高，芯片刻录速度也就越快。第二，波长短，13.5纳米。众所周知，光刻机的光源波长与最小制程工艺息息相关。由于芯片的制程工艺和光刻机的曝光分辨率有着密切的关系，曝光分辨率越高，制程工艺也就越小，反之月越大。而光刻机的曝光分辨率又和光源的波长息息相关，当然光源的波长越短，曝光分辨率也就越高。
光源波长越短，芯片制程工艺的纳米数就可以做到越小。总而言之，极紫外EUV光刻机需要的光源，是波长短，功率大。多片极其光滑的反射镜EUV光刻机与DUV光刻机的镜头组是不同的。DUV光刻机用的是透镜组，而EUV光刻机用的是反射镜。为了使光源被反射后，还具备较高的聚合性和较大的功率，对反射镜的粗糙度有较高的要求。
ASML的极紫外EUV光刻机，使用的是德国蔡司公司研制的反射镜。这些反射镜的表面镀了近百层由钼和硅制成薄膜，而薄膜的粗糙度控制在0.05纳米，难度还是相当大的。超高精度的双工件台过去的光刻机使用的是单工件台，一个工件台完成测量，刻录等所有工作。那么，效率自然就很慢。使用单工件台的光刻机，一个小时可以处理80片晶圆。