华卓精科,与清华共享专利( 二 )

网上看到华为在2020年7月份招聘光刻工艺工程师，就认为华为要做光刻机了。然而这个光刻机可能跟想象的不同，并不是做手机芯片的，而是为了生产通讯设备的芯片。好消息还是有的。第一轮制裁的EDA软件，华为自己设计了一个基于40纳米的芯片设计软件工具（EDA TOOL）。
目前，华为已经开始在武汉生产的40纳米的芯片了。生产出来的芯片将用在华为的基站和其他通讯设备上。而整个生产线是去美国化的，全部实现国产化。并且计划在不久后升级到28纳米工艺。我想，以华为的速度，40、28纳米工艺完成之后，14、10纳米并不会太远。10纳米已经可以勉强用在手机上了。只要给华为时间，一切都不是问题。
我国的光刻机5纳米生产技术要多久才能突破？

我国的光刻机5纳米生产技术要多久才能突破？随着科技不断的发展，全球竞争已经不仅仅在于军事和经济，更多的战火波及到了科技领域，尤其是在美国对华为制裁的事件不断升级的情况下，芯片的关注度也越来越高。最近有很多自媒体人为了追求流量都在传播“5nm光刻技术获得重大突破”的传闻，但是事实是什么呢？我们一起来看一下吧。
我国科技企业已经实现弯道超车，但是芯片仍是短板在国家和各行各业的重视下，我国在科技方面尤其在互联网和通信领域实现了完美的弯道超车，但是芯片产业却摆脱不了需要大量进口的处境。近年来，我国集成电路发展非常迅速，人工智能、智能制造、汽车电子、物联网、5G等为代表的新兴产业快速崛起，集成电路是我国信息技术发展的核心，但是根据相关媒体报道称，2019年中国集成电路进口数量为4451.34亿个，同比增长6.6%；2018年中国集成电路进口数量为4175.67亿个，同比增长10.8% 。
在进口金额方面，2019年中国集成电路进口金额为3055.5亿美元，同比下降2.1% 。在华为事件出现之后，越来越多的企业和国人意识到，自研芯片的重要性，芯片实现国产化也迫在眉睫，因此我们现在迫切需要有自主制造芯片的能力。我国芯片设计已经能自主，但是生产制造仍是短板根据很多媒体的报道，我们可以看到华为海思、紫光展锐等科技企业已经能够实现芯片架构的自主设计，但是对于芯片制造领域，我国暂时没有企业可以代替台积电的地位。
尽管中芯国际已经可以生产14nm制程工艺，但是这无法和台积电相媲美。因此，如过想彻底摆脱国外的威胁，这条路仍旧是任重道远。那么我国什么时候才可以突破5nm技术呢根据媒体在近日的报道，中国权威机构中科院苏州研究所已经研发成功了新型5nm高精度的激光光刻技术，标志着我国的5nm光刻技术取得了重大进展。根据相关报道称，这项技术和ASML的EUV极紫外光刻完全不同。
中国年底将量产第四代浸没式光刻机，这意味着什么？
这个已经沸沸扬扬不短的时间了，感觉网民们的热情是好的，但是，综合各种情况来看，大概率是我们一厢情愿。面对残酷的现实（美帝未来还会在芯片上动作频频，后续还会有更多艰困），我们唯有殚精竭虑，才能突破美帝封锁。…五岭逶迤腾细浪，乌蒙磅礴走泥丸。金沙水拍云崖暖，大渡桥横铁索寒…逶迤于途，路阻且长，咬紧牙关，负重前行，属于我们的光明会早日到来。
中国需要几年能研制出媲美荷兰阿斯麦的EUV极紫外光刻机？
难说啊！要知道ASML公司，在1991年就研制出了制程工艺包含90纳米的，步进投影式DUV光刻机。而在2017年研制出了，制程工艺在7纳米的，第三代极紫外EUV光刻机。也就是说，ASML公司用了26年，才从步进投影式DUV光刻机，突破到极紫外EUV光刻机。而我国在2007年就研制出了制程工艺可达90纳米的步进投影式DUV光刻机，截止到目前为止，还没有见到国产浸没式DUV光刻机出现，那就更不要说，研发出极紫外EUV光刻机了。